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汽车用分立半导体器件AEC‐Q101认证测试项目

文章来源 : 粤科检测发表时间：2024-05-14 浏览量:

江苏粤科检测是专业第三方AEC-Q101认证机构，实验室具备AEC-Q101标准CNAS全项测试资质和测试能力，可协助汽车分立半导体企业制定符合AEC-Q101标准的验证步骤和实验方法，帮助汽车分立器件厂商进入车厂供应链，缩短与采购商的沟通时间，推动产品品质的提高和可交换性。

分立半导体aec-q101-1.jpg

AEC-Q101认证对象

二极管、齐纳二极管、稳压二极管、整流二极管、TVS管、MOSFET、IGBT等。

汽车用分立半导体器件AEC‐Q101认证测试项目

种类	序号	应力方式	样品数量 Sample Size/Lot	批数 Number of Lots
1. 加速环境应力测试 ACCELERATED ENVIRONMENT STRESS TESTS	1	预处理 Preconditioning	贴片器件在进行 2~10 项,及耐焊性测试前要实施预处理
	2	高加速度应力测试 Highly Accelerated Stress Test	77	3（注 B）
	3	高温高湿反向偏压 High Humidity High Temp. Reverse Bias	77	3（注 B）
	4	无高加速度应力测试 Unbiased HAST	77	3（注 B）
	5	压力锅 Autoclave	77	3（注 B）
	6	温度循环 Temperature Cycling	77	3（注 B）
	7	温度循环热试验 Temperature Cycling Hot Test	77	3（注 B）
	8	温度循环分层试验 TC Delamination Test	77	3（注 B）
	9	间歇工作寿命 Intermittent Operational Life	77	3（注 B）
	10	功率温度循环 Power Temperature Cycling	77	3（注 B）
2. 加速寿命周期模拟测试– ACCELERATED LIFETIME SIMULATION TESTS	1	高温反向偏压 High Temperature Reverse Bias	77	3（注 B）
	2	交流阻断电压 AC blocking voltage	77	3（注 B）
	3	稳态工作 Steady State Operational	77	3（注 B）
	4	高温栅偏压 High Temperature Gate Bias	77	3（注 B）
3.封装组装完整性测试 PACKAGE ASSEMBLY INTEGRITY TESTS	1	破坏性物理分析 Destructive Physical Analysis	2	1（注 B）
	2	尺寸 Physical Dimension	30	1
	3	焊线拉力 Wire Bond Pull Strength	最少 5 个器件的 10 条焊线
	4	焊线剪切 Wire Bond Shear Strength	最少 5 个器件的 10 条焊线
	5	晶片剪切 Die Shear	5	1
	6	端子强度 Terminal Strength	30	1
	7	耐溶剂性 Resistance to Solvents	30	1
	8	耐焊性 Resistance to Solder Heat	30	1
	9	热阻抗 Thermal Resistance	10	1
	10	可焊性 Solderability	10	1（注 B）
	11	晶须生长评价 Whisker Growth Evaluation	-	-
	12	恒定加速度 Constant Acceleration	30	1（注 B）
	13	变频振动 Vibration Variable Frequency	项目 12~15 是密封封装器件连续的测试(参考注释 H)
	14	机构冲击 Mechanical Shock
	15	气密性 Hermeticity
4.晶片制造可靠性测试 DIE FABRICATION RELIABILITY TESTS	1	介电性 Dielectric Integrity	5	1
5. 电性验证测试 – ELECTRICAL VERIFICATION TESTS	1	外观 External Visual	all	all
	2	应力测试前后功能参数 Pre- and PostStress Electrical Test	all	all
	3	参数验证 Parametric Verification	25	3（注 A）
	4	静电放电人体模式 ESD HBM Characterization	30	1
	5	静电放电带电器件模式 ESD CDM Characterization	30	1
	6	钳位感应开关 Unclamped Inductive Switching	5	1
	7	短路特性 Short Circuit Characterization	10	3（注 B）