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MOS，是MOSFET的缩写。全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。MOS管最基本且常用的功能是通过对G级施加电压以控制S与D之间的开启与关闭，常用作电子开关。

江苏粤科检测是专业第三方电子元器件检测机构，实验室具备二极管、三极管、MOS管等分立器件检测资质和检测能力，可提供MOS管电特性参数测试、AEC-Q101认证、二次筛选等检测认证服务。

MOS管的主要特点

1、栅压输入阻抗高，MOS管栅极有绝缘膜氧化物，但栅极容易被静电、高压击穿，造成不可逆的损坏。

2、导通电阻低，可以做到毫欧级，低损耗。

3、开关速度快，开关损耗低。

MOS主要电参数特性

据MOS的特点，在MOS的使用当中最常关注的电特性参数有以下方面：

1. BVDSS（源漏击穿电压）：用于评估DS之间的耐压情况。对于大功率MOS，DS之间的耐压通常要求至千伏级别，在使用PROBE进行晶圆级测试时，通常需采用绝缘氟油保护，防止芯片表面发生空气击穿而造成破坏。

2. IDSS（源漏泄漏电流）：DS沟道关闭时的泄漏电流，MOS在非工作状态下的DS损耗，通常为uA级别。

3. IGSS（栅极泄漏流）：在一定栅压下流过栅极的泄漏电流。

4. Vth（开启电压）：能使漏极开始有电流时的栅极电压。

5. RDS（on）（导通电阻）：DS之间的导通电阻，与MOS在开启时的传输损耗有关，RDS（on）越大，MOS的损耗越高。RDS（on）通常为mΩ级别，在使用PROBE进行晶圆测试时，在DS之间使用四线法搭载测试环境，以消除金属探针自身电阻的影响。对于大功率MOS的测试，采用高功率探针，瞬时电流能够达到百安级。

6. VSD（漏源间体内反并联二极管正向压降）：一般用于导通电感负载传来的反向电流。

7. Ciss（输入电容）：Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成。驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。

8. Coss（输出电容）：Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成，它可能引起电路的谐振。

9. Crss（反向传输电容）：反向传输电容等同于栅漏电容Cgd，也叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，影响关断延时时间。MOS管的电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容。

10. Qgs、Qgd、Qg：栅电荷：栅极电荷值反应存储在端子间电容上的电荷。开关的瞬间，栅极储存电荷随电压的变化而变化，设计栅驱动电路时经常要考虑栅电荷的影响。

11. 输出特性曲线：在不同的VGS下，流过漏极的电流与漏源间施加电压之间的关系ID-VDS。

12. 转移特性曲线：在一定的VDS下，MOS管饱和区的漏极电流与栅源电压之间的关系（ID-VGS）。

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