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第三方高温反偏试验检测机构

江苏粤科检测是专业第三方半导体分立器件高温反偏试验检测机构，实验室配备高温反偏试验系统，可进行Si基/SiC基功率半导体器件的高温反偏试验，测试电压0～2kV，测试温度+20˚C～+200˚C。实验室机时充足，可根据用户的不同产品定制测试方案，并出具专业的可靠性测试报告。

什么是高温反偏试验？

高温反向偏压试验（High TemperatureReverse Bias），简称HTRB，是分立器件可靠性最重要的一个试验项目，即在高温条件下持续提供一定规格的反向电压，在长时间的工作下，要求试验样品的反向漏电流能在范围值内保持稳定，模拟器件长时间工作状态中的耐受能力，以此推算出实际应用中器件的寿命和应力大小。

在器件量产或使用前按照实际应用场景模拟实验，提前摸清器件应力情况，可避免因应力、环境导致的失效及影响。

高温反偏试验的作用

高温反偏试验是模拟器件在静态或稳态工作模式下，以最高反偏电压或指定反偏电压进行工作，以研究偏置条件和温度随时间对器件的寿命模拟。甚至一些厂商还会将其作为一筛或二筛的核心试验。

其目的主要是暴露器件跟时间、应力相关的缺陷，衡量当前器件是否满足规定的标准要求，排查出封装或晶圆本身的质量问题。

高温反偏试验的试验条件

分立器件的高温反偏主要采用的试验标准可覆盖车规、工规及AEC-Q101、AEC-Q102、AQG324、JEDEC、 JESD 22-A108、JEDEC、 JESD 22-A101、MIL-STD-750、GJB 128等相关标准要求。

各类标准从试验温度、反偏电压电参数测试均做出了明确的定义，而试验方法、原理均差别不大，其中，以车规的要求最为严苛，在模拟最高结温工作状态下，100%的反偏电压下运行1000h。

对于SiC功率器件而言，其最大额定结温普遍在175℃以上，而反偏电压已超过650V，更高的温度、更强的电场加速钝化层中可移动离子或杂质的扩散迁移，从而提前发现器件异常，较大程度地验证器件的可靠性。

高温反偏试验测试覆盖标准

- GJB 128B 《半导体分立器件试验方法》

- MIL-STD-750F：2012 《半导体器件试验方法》

- AEC-Q101-Rev-E：2021 《车用分立半导体元器件的基于失效机理的应力测试验证》

- AEC-Q102-Rev-A：2020 《汽车应用中分立光电半导体基于失效机制的应力测试认证》

- GB/T 4586-1994 《半导体器件 第 8 部分 场效应晶体管》

高温反偏试验覆盖产品范围

可覆盖各种半导体分立器件（二极管、三极管、MOSFET 管 （增强型、耗尽型）、达林顿管、可控硅、IGBT）进行高温反偏试验，适用于各种封装。

高温反偏试验通过依据

高温反偏试验主要考察器件的材料、结构、封装可靠性，可反映出器件边缘终端、钝化层、键合（interconnect）等结构的弱点或退化效应。

因此，功率器件是否能通过高温反偏试验，应从产品设计阶段考虑风险，综合考量电场、高温对材料、结构、钝化层的老化影响。以实际应用环境因素要求一体化管控材料选型、结构搭建设计，提升良品率。

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